本发明涉及恒温晶体振荡器温度控制技术领域,尤其涉及一种恒温晶体振荡器控温系统,包括PDI运放调节电路、取样比较放大电路、恒温晶体振荡器的槽体,PDI运放调节电路与恒温晶体振荡器的槽体连接,取样比较放大电路与恒温晶体振荡器的槽体连接,PDI运放调节电路与取样比较放大电路连接,本发明增加实时监控加热的电流的功能,通过对电流的监控,直接控制槽体的温度。这样的控制效果好,并且细微的电流变化,都可以通过运放进行放大,因此本发明将粗调与细调进行有效的结合,能有效的控制槽体的温度。
1.一种恒温晶体振荡器控温系统,其特征在于:包括PDI运放调节电路、取样比较放大电路、恒温晶体振荡器的槽体,PDI运放调节电路与恒温晶体振荡器的槽体连接,取样比较放大电路与恒温晶体振荡器的槽体连接,PDI运放调节电路与取样比较放大电路连接;PDI运放调节电路包括:第一运算放大器(IC1A),电容Cf2、Cf3、Cf4、C2,电阻Rf、RT1、R5、R6、R7、R8、R9,RT1为热敏电阻;第一运算放大器(IC1A)的反相输入端与R7的一端、Cf3的一端,Cf4的一端、Rf的一端连接;第一运算放大器(IC1A)的同相输入端与R9的一端连接;第一运算放大器(IC1A)的输出端与Cf3另一端、Cf2的一端、比较放大电路连接;Rf另一端与Cf2另一端连接;Cf4的另一端与R5的一端、R6的一端、R7的另一端连接;R9的另一端与RT1的一端、R8的一端、C2的一端连接;R8另一端、R5另一端与电源V1连接;R6另一端、RT1的另一端、C2的另一端接地;第一运算放大器(IC1A)的电源正极与电源V1连接;第一运算放大器(IC1A)的电源负极接地。
2.根据权利要求1所述的恒温晶体振荡器控温系统,其特征在于:取样比较放大电路包括:第二运算放大器(IC1B)、电阻R00、R01、R20、R21、R3、R4,电容Cf1,NPN管Q1、Q2;第二运算放大器(IC1B)的反相输入端与R2的一端、R20的一端、R21的一端、Cf1的一端连接;R2另一端与电源V1连接;Cf1另一端与第二运算放大器(IC1B)的输出端、Q1的基极、Q2的基极连接;R20的另一端与R00的一端、Q1的发射极连接;R21的另一端与R01的一端、Q2的发射极连接;R00的另一端与R01的另一端接地;Q1的集电极与Q2的集电极、电源Vcc连接;第二运算放大器(IC1B)同相输入端与R3的一端、R4的一端连接;R4另一端与第一运算放大器(IC1A)的输出端连接;R3的另一端接地;第二运算放大器(IC1B)的电源正极与电源V1连接;第二运算放大器(IC1B)的电源负极接地。
3.根据权利要求1-2任意一项所述的恒温晶体振荡器控温系统,其特征在于:还包括恒温晶体振荡器的拐点补偿与调节电路,恒温晶体振荡器的拐点补偿与调节电路与PDI运放调节电路连接,PDI运放调节电路包括IC,电阻R10;IC的8脚与V1连接;IC的1脚与R10的一端连接;R10的另一端与PDI运放调节电路的R9的另一端、RT1的一端、R8的一端连接。
技术领域本发明涉及恒温晶体振荡器温度控制技术领域,尤其涉及一种恒温晶体振荡器控温系统。
背景技术传统的加热控温电路是单运放的PID控温模式,只是通过感应恒温槽体的温度变化来控制实现。因为热敏电阻本身具有离散性、热滞后性等,往往容易造成控制电路控制不灵敏和滞后,只能粗略的控制槽体的温度,导致对恒温晶体振荡器的温度控制效果差,从而影响到整个恒温晶体振荡器的温度特性(温度漂移),使得恒温晶体振荡器温度特性不稳定。
发明内容本发明的目的在于针对现有技术的不足而提供一种温度控制效果好的的恒温晶体振荡器控温系统。本发明的目的通过以下技术措施实现:一种恒温晶体振荡器控温系统,包括PDI运放调节电路、取样比较放大电路、恒温晶体振荡器的槽体,PDI运放调节电路与恒温晶体振荡器的槽体连接,取样比较放大电路与恒温晶体振荡器的槽体连接,PDI运放调节电路与取样比较放大电路连接。其中,xa0PDI运放调节电路包括:第一运算放大器,电容Cf2、Cf3、Cf4、C2,电阻Rf、RT1、R5、R6、R7、R8、R9,RT1为热敏电阻;第一运算放大器的反相输入端与R7的一端、Cf3的一端,Cf4的一端、Rf的一端连接;第一运算放大器的同相输入端与R9的一端连接;第一运算放大器的输出端与Cf3另一端、Cf2的一端、比较放大电路连接;Rf另一端与Cf2另一端连接;Cf4的另一端与R5的一端、R6的一端、R7的另一端连接;R9的另一端与RT1的一端、R8的一端、C2的一端连接;R8另一端、R5另一端与电源V1连接;R6另一端、RT1的另一端、C2的另一端接地;第一运算放大器的电源正极与电源V1连接;第一运算放大器的电源负极接地。其中,取样比较放大电路包括:第二运算放大器、电阻R00、R01、R20、R21、R3、R4,电容Cf1,NPN管Q1、Q2;第二运算放大器的反相输入端与R2的一端、R20的一端、R21的一端、Cf1的一端连接;R2另一端与电源V1连接;Cf1另一端与第二运算放大器的输出端、Q1的基极、Q2的基极连接;R20的另一端与R00的一端、Q1的发射极连接;R21的另一端与R01的一端、Q2的发射极连接;R00的另一端与R01的另一端接地;Q1的集电极与Q2的集电极、电源Vcc连接;第二运算放大器同相输入端与R3的一端、R4的一端连接;R4另一端与第一运算放大器的输出端连接;R3的另一端接地;第二运算放大器的电源正极与电源V1连接;第二运算放大器的电源负极接地。其中,还包括恒温晶体振荡器的拐点补偿与调节电路,恒温晶体振荡器的拐点补偿与调节电路与PDI运放调节电路连接,PDI运放调节电路包括IC,电阻R10;IC的8脚与V1连接;IC的1脚与R10的一端连接;R10的另一端与PDI运放调节电路的R9的另一端、RT1的一端、R8的一端连接。另一方案:其中,PDI运放调节电路包括:第一运算放大器,电容Cf2、Cf3、Cf4、C2,电阻Rf、RT1、R5、R6、R7、R8、R9,RT1为热敏电阻;第一运算放大器的反相输入端与R7的一端、Cf3的一端,Cf4的一端、Rf的一端连接;第一运算放大器的同相输入端与R9的一端连接;第一运算放大器的输出端与Cf3另一端、Cf2的一端、比较放大电路连接;Rf另一端与Cf2另一端连接;Cf4的另一端与R8的一端、C2的一端、R9的另一端、RT1的一端连接;R7的另一端与R6的一端、R5的一端连接;R8另一端、R5另一端与电源V1连接;R6另一端、RT1的另一端、C2的另一端接地;第一运算放大器的电源正极与电源V1连接;第一运算放大器的电源负极接地。其中,取样比较放大电路包括:第二运算放大器、电阻R00、R01、R20、R21、R3、R4,电容Cf1,PNP管Q1、Q2;第二运算放大器的反相输入端与R2的一端、R20的一端、R21的一端、Cf1的一端连接;R2另一端与电源V1连接;Cf1另一端与第二运算放大器的输出端、Q1的基极、Q2的基极连接;R20的另一端与R00的一端、Q1的发射极连接;R21的另一端与R01的一端、Q2的发射极连接;R00的另一端与R01的另一端、电源Vcc连接;Q1的集电极与Q2的集电极、电源Vcc连接;第二运算放大器同相输入端与R3的一端、R4的一端连接;R4另一端与第一运算放大器的输出端连接;R3的另一端与电源Vcc连接;Q1的集电极、Q2的集电极接地;第二运算放大器的电源正极与电源Vcc连接;第二运算放大器的电源负极接地。其中,还包括恒温晶体振荡器的拐点补偿与调节电路,恒温晶体振荡器的拐点补偿与调节电路与PDI运放调节电路连接,PDI运放调节电路包括IC,电阻R10;IC的8脚与V1连接;IC的1脚与R10的一端连接;R10的另一端与PDI运放调节电路的R7的另一端、R6的一端、R5的一端连接。本发明的一种恒温晶体振荡器控温系统,包括PDI运放调节电路、取样比较放大电路、恒温晶体振荡器的槽体,PDI运放调节电路与恒温晶体振荡器的槽体连接,取样比较放大电路与恒温晶体振荡器的槽体连接,PDI运放调节电路与取样比较放大电路连接,本发明增加实时监控加热的电流的功能,通过对电流的监控,直接控制槽体的温度。这样的控制效果好,并且细微的电流变化,都通过运放进行放大,因此本发明将粗调与细调进行有效的结合,能有效的控制槽体的温度。
附图说明图1是本发明的实施例1的电路图。图2是本发明的实施例2的电路图。
具体实施方式下面结合附图对本发明作进一步的说明。实施例1如图1所示,一种恒温晶体振荡器控温系统,包括PDI运放调节电路、取样比较放大电路、恒温晶体振荡器的槽体,PDI运放调节电路与恒温晶体振荡器的槽体连接,取样比较放大电路与恒温晶体振荡器的槽体连接,PDI运放调节电路与取样比较放大电路连接。本实施例PDI运放调节电路包括:第一运算放大器(IC1A),电容Cf2、Cf3、Cf4、C2,电阻Rf、RT1、R5、R6、R7、R8、R9,RT1为热敏电阻;第一运算放大器(IC1A)的反相输入端与R7的一端、Cf3的一端,Cf4的一端、Rf的一端连接;第一运算放大器(IC1A)的同相输入端与R9的一端连接;第一运算放大器(IC1A)的输出端与Cf3另一端、Cf2的一端、比较放大电路连接;Rf另一端与Cf2另一端连接;Cf4的另一端与R5的一端、R6的一端、R7的另一端连接;R9的另一端与RT1的一端、R8的一端、C2的一端连接;R8另一端、R5另一端与电源V1连接;R6另一端、RT1的另一端、C2的另一端接地;第一运算放大器(IC1A)的电源正极与电源V1连接;第一运算放大器(IC1A)的电源负极接地。本实施例取样比较放大电路包括:第二运算放大器(IC1B)、电阻R00、R01、R20、R21、R3、R4,电容Cf1,NPN管Q1、Q2;第二运算放大器(IC1B)的反相输入端与R2的一端、R20的一端、R21的一端、Cf1的一端连接;R2另一端与电源V1连接;Cf1另一端与第二运算放大器(IC1B)的输出端、Q1的基极、Q2的基极连接;R20的另一端与R00的一端、Q1的发射极连接;R21的另一端与R01的一端、Q2的发射极连接;R00的另一端与R01的另一端接地;Q1的集电极与Q2的集电极、电源Vcc连接;第二运算放大器(IC1B)同相输入端与R3的一端、R4的一端连接;R4另一端与第一运算放大器(IC1A)的输出端连接;R3的另一端接地;第二运算放大器(IC1B)的电源正极与电源V1连接;第二运算放大器(IC1B)的电源负极接地。本实施例还包括恒温晶体振荡器的拐点补偿与调节电路,恒温晶体振荡器的拐点补偿与调节电路与PDI运放调节电路连接,PDI运放调节电路包括IC,电阻R10;IC的8脚与V1连接;IC的1脚与R10的一端连接;R10的另一端与PDI运放调节电路的R9的另一端、RT1的一端、R8的一端连接。本实施例第一运算放大器(IC1A)、Rf、Cf2、Cf3、Cf4、C2,电阻R5、R6、R7、R8、R9、RT1构成PDI运放调节电路。通过分立的热敏元件监测恒温槽体的温度波动,经过PID运放控制粗略的来调控槽体温度。第二运算放大器(IC1B)、电阻R00、R01、R20、R21、R2、R3、R4,电容Cf1构成取样比较放大电路。通过直接监控流过R00、R01的加热电流细微的变化情况,并与前一级对热的控制量进行比较,通过运放的比较判断输出,来控制功率管Q1和Q2的开与断、从而更有效、更精密的对恒温槽体的热稳定性进行细微的控制和调节。本实施例的IC通过R10对恒温槽的控温电路进行拐点补偿与调节。实施例2如图2所示,本实施例的一种恒温晶体振荡器控温系统,包括PDI运放调节电路、取样比较放大电路、恒温晶体振荡器的槽体,PDI运放调节电路与恒温晶体振荡器的槽体连接,取样比较放大电路与恒温晶体振荡器的槽体连接,PDI运放调节电路与取样比较放大电路连接。本实施例的PDI运放调节电路包括第一运算放大器(IC1A),电容Cf2、Cf3、Cf4、C2,电阻Rf、RT1、R5、R6、R7、R8、R9,xa0RT1为热敏电阻;第一运算放大器(IC1A)的反相输入端与R7的一端、Cf3的一端,Cf4的一端、Rf的一端连接;第一运算放大器(IC1A)的同相输入端与R9的一端连接;第一运算放大器(IC1A)的输出端与Cf3另一端、Cf2的一端、比较放大电路连接;Rf另一端与Cf2另一端连接;Cf4的另一端与R8的一端、C2的一端、R9的另一端、RT1的一端连接;R7的另一端与R6的一端、R5的一端连接;R8另一端、R5另一端与电源V1连接;R6另一端、RT1的另一端、C2的另一端接地;第一运算放大器(IC1A)的电源正极与电源V1连接;第一运算放大器(IC1A)的电源负极接地。本实施例取样比较放大电路包括:第二运算放大器(IC1B)、电阻R00、R01、R20、R21、R3、R4,电容Cf1,PNP管Q1、Q2;第二运算放大器(IC1B)的反相输入端与R2的一端、R20的一端、R21的一端、Cf1的一端连接;R2另一端与电源V1连接;Cf1另一端与第二运算放大器(IC1B)的输出端、Q1的基极、Q2的基极连接;R20的另一端与R00的一端、Q1的发射极连接;R21的另一端与R01的一端、Q2的发射极连接;R00的另一端与R01的另一端、电源Vcc连接;Q1的集电极与Q2的集电极、电源Vcc连接;第二运算放大器(IC1B)同相输入端与R3的一端、R4的一端连接;R4另一端与第一运算放大器(IC1A)的输出端连接;R3的另一端与电源Vcc连接;Q1的集电极、Q2的集电极接地;第二运算放大器(IC1B)的电源正极与电源Vcc连接;第二运算放大器(IC1B)的电源负极接地。本实施例还包括恒温晶体振荡器的拐点补偿与调节电路,恒温晶体振荡器的拐点补偿与调节电路与PDI运放调节电路连接,PDI运放调节电路包括IC,电阻R10;IC的8脚与V1连接;IC的1脚与R10的一端连接;R10的另一端与PDI运放调节电路的R7的另一端、R6的一端、R5的一端连接。本实施例第一运算放大器(IC1A)、Rf、Cf2、Cf3、Cf4、C2,电阻R5、R6、R7、R8、R9、RT1构成PDI运放调节电路。通过分立的热敏元件监测恒温槽体的温度波动,经过PID运放控制粗略的来调控槽体温度。第二运算放大器(IC1B)、电阻R00、R01、R20、R21、R2、R3、R4,电容Cf1构成取样比较放大电路。通过直接监控流过R00、R01的加热电流细微的变化情况,并与前一级对热的控制量进行比较,通过运放的比较判断输出,来控制功率管Q1和Q2的开与断、从而更有效、更精密的对恒温槽体的热稳定性进行细微的控制和调节。本实施例的IC通过R10对恒温槽的控温电路进行拐点补偿与调节。本发明电源V1小于Vcc,即将运放的电源低于外接电源,既保证了运放的工作稳定性,也保证了输出不受电源的波动影响,保证了控制信号的稳定,因此可以采用二次稳压供电。本发明还可以对V1进行稳压,可以保证运放参考点和输出的稳定性。本发明的一种恒温晶体振荡器控温系统,包括PDI运放调节电路、取样比较放大电路、恒温晶体振荡器的槽体,PDI运放调节电路与恒温晶体振荡器的槽体连接,取样比较放大电路与恒温晶体振荡器的槽体连接,PDI运放调节电路与取样比较放大电路连接,本发明增加实时监控加热的电流的功能,通过对电流的监控,直接控制槽体的温度。这样的控制效果好,并且细微的电流变化,都通过运放进行放大,因此本发明将粗调与细调进行有效的结合,能有效的控制槽体的温度。最后应当说明的是,以上实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对本发明保护范围的限制,尽管参照较佳实施例对本发明作了详细地说明,本领域的普通技术人员应当理解,可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本发明技术方案的实质和范围。